H1270 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H1270  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H1270

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H1270 даташит

 ..1. Size:103K  shantou-huashan
h1270.pdfpdf_icon

H1270

Другие транзисторы: H1015, H1020, H1020S, H1068, H1116, H1246, H1266, H1268, TIP122, H128M, H1300, H1302, H1420, H1423, H1426, H1616, H1674