H1270 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: H1270 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для H1270
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
H1270 даташит
Другие транзисторы: H1015, H1020, H1020S, H1068, H1116, H1246, H1266, H1268, TIP122, H128M, H1300, H1302, H1420, H1423, H1426, H1616, H1674
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488

