Справочник транзисторов. H1270

 

Биполярный транзистор H1270 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H1270
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(TYP) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для H1270

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H1270 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  shantou-huashan
 h1270.pdf pdf_icon

H1270

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1270 CENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation

Другие транзисторы... H1015 , H1020 , H1020S , H1068 , H1116 , H1246 , H1266 , H1268 , 2SA1943 , H128M , H1300 , H1302 , H1420 , H1423 , H1426 , H1616 , H1674 .

History: 2SB701

 

 
Back to Top

 


 
.