H1270 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: H1270
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(TYP) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H1270