H1302 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H1302
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60(TYP) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: TO92
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H1302 Datasheet (PDF)
h1302.pdf

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1302 AUDIO MUTING APPLICATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation400mW
sch1302.pdf

Ordering number : ENN7532SCH1302P-Channel Silicon MOSFETSCH1302Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2221 1.8V drive.[SCH1302]Top View Side View1.60.20.156 5 41 2 31 : Drain0.52 : DrainBottom View3 : GateSide View4 : Source5 : Drain6 : DrainSANYO : SCH6
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History: DRC5A14T | BCW65ALT1 | 2SA1783 | D28A13 | 2SD1609 | 2SC3138 | 2SC3152M
History: DRC5A14T | BCW65ALT1 | 2SA1783 | D28A13 | 2SD1609 | 2SC3138 | 2SC3152M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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