H1302 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H1302  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H1302

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H1302 даташит

 ..1. Size:102K  shantou-huashan
 h1302.pdf pdf_icon

H1302

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1302 AUDIO MUTING APPLICATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation 400mW

 0.1. Size:28K  sanyo
 sch1302.pdf pdf_icon

H1302

Ordering number ENN7532 SCH1302 P-Channel Silicon MOSFET SCH1302 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2221 1.8V drive. [SCH1302] Top View Side View 1.6 0.2 0.15 6 5 4 1 2 3 1 Drain 0.5 2 Drain Bottom View 3 Gate Side View 4 Source 5 Drain 6 Drain SANYO SCH6

Другие транзисторы: H1068, H1116, H1246, H1266, H1268, H1270, H128M, H1300, BD140, H1420, H1423, H1426, H1616, H1674, H1740, H1815, H1836