H421 Todos los transistores

 

H421 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H421

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.83 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO92

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H421 datasheet

 ..1. Size:100K  shantou-huashan
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H421

 0.1. Size:497K  international rectifier
 irfh4210d.pdf pdf_icon

H421

FastIRFET IRFH4210DPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.10 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 1.35 Qg (typical) 37.0 nC ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Benefits Low RDS(ON) (

 0.2. Size:499K  international rectifier
 irfh4213d.pdf pdf_icon

H421

FastIRFET IRFH4213DPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.35 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 1.90 Qg (typical) 25 nC ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Benefits Low RDSon (

 0.3. Size:504K  international rectifier
 irfh4213.pdf pdf_icon

H421

FastIRFET IRFH4213PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.35 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 1.90 Qg (typical) 26 nC ID 204 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Active ORing and

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