H5401 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H5401
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO92
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H5401 datasheet
h5401.pdf
P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5401 AMPLIFIER TRANSISTOR Collector-Emitter Voltage Vceo=150V. Collector Dissipation Pc(max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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