H558 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H558
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150(TYP) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
H558 Datasheet (PDF)
h558.pdf

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H558 APPLICATIONS SWITCHING AND AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector Dissipation
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: PVR100AD-B3V3 | CDB550 | HSE401 | 2SD2051 | 2SA1427O | FC1404 | HA06
History: PVR100AD-B3V3 | CDB550 | HSE401 | 2SD2051 | 2SA1427O | FC1404 | HA06



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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