HA05 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HA05

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO92

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HA05 datasheet

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HA05

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HA05

SW055R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS 30V DFN5*6 DFN3*3 High ruggedness ID 20A Low RDS(ON) (Typ 6.8m )@VGS=4.5V 1 8 1 8 RDS(ON) 6.8m @VGS=4.5V (Typ 5.7m )@VGS=10V 2 7 2 7 Low Gate Charge (Typ 25nC) 6 6 3 3 5.7m @VGS=10V 4 5 5 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D A

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HA05

SW056R68E7T N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS 68V DFN5*6 High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.5m )@VGS=10V ID 100A 1 8 Low Gate Charge (Typ 99nC) 2 7 RDS(ON) 5.5m Improved dv/dt Capability 6 3 5 100% Avalanche Tested 4 D Application Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Inverter G 4. Gate 5,6,7,8.Drain 1,2,

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HA05

SW055R03VT N-channel Enhanced mode DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS 30V DFN5*6 DFN3*3 High ruggedness ID 20A Low RDS(ON) (Typ 6.8m )@VGS=4.5V 1 8 1 8 RDS(ON) 6.8m @VGS=4.5V (Typ 5.7m )@VGS=10V 2 7 2 7 Low Gate Charge (Typ 25nC) 6 6 3 3 5.7m @VGS=10V 4 5 5 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested D Application DC-DC Converte

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