3CG8550M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG8550M

Código: HY4B_HY4C_HY4D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 85

Encapsulados: SOT23

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3CG8550M datasheet

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3CG8550M

S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8050M(3DG8050M) /Features Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA

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3CG8550M

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3CG8550M

S8550A(3CG8550A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , S8050A(3DG8050A) C C Features High P and I , complementary pair with S8050A(3DG8050A). C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rati

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3CG8550M

S8550(3CG8550) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , S8050(3DG8050) C C Features High P and I , complementary pair with S8050(3DG8050). C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Uni

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