3CG8550M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG8550M

Маркировка: HY4B_HY4C_HY4D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3CG8550M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG8550M даташит

 ..1. Size:136K  foshan
 3cg8550m s8550m.pdf pdf_icon

3CG8550M

S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8050M(3DG8050M) /Features Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA

 7.1. Size:553K  jilin sino
 3cg8550.pdf pdf_icon

3CG8550M

 7.2. Size:184K  foshan
 3cg8550a.pdf pdf_icon

3CG8550M

S8550A(3CG8550A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , S8050A(3DG8050A) C C Features High P and I , complementary pair with S8050A(3DG8050A). C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rati

 7.3. Size:221K  foshan
 3cg8550.pdf pdf_icon

3CG8550M

S8550(3CG8550) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , S8050(3DG8050) C C Features High P and I , complementary pair with S8050(3DG8050). C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Uni

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SFT6284, SFT6287, SFT6678-3, SFT6678M, SFT6678Z, SFT6800, SFT8200, SFT8500, 2SD313, T2095, EB203D, ECG127, SBP13003, SBP13003D, SBP13003H, SBP13003O, SBP13005D