S9011 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S9011

Código: 1T

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SOT23

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S9011 datasheet

 ..1. Size:121K  galaxy
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S9011

BL Galaxy Electrical Production specification NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor S9011 FEATURES Pb Collector Current.(IC= 30mA Lead-free Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS AM converter, AM/FM if amplifier general purpose transistor. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code S9011 1T SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwis

 0.1. Size:38K  fairchild semi
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S9011

SS9011 AM Converter, AM/FM IF Amplifier General Purpose Transistor TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 30 mA PC Collector Power Dissipatio

 0.2. Size:50K  samsung
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S9011

SS9011 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AM CONVERTER,AM/FM IF AMPLIFIER TO-92 GENERAL PURPOSE TRANSISTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 Collector Current IC 30 mw Collector Dissipation PC 400 Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature T

Otros transistores... S8050B, S8050C, S8050D, S8050G, S8550B, S8550C, S8550D, S8550G, B647, S9011LT1, S9012G, S9012H, S9012I, S9012LT, S9012W, S9013G, S9013H