S9016LT1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S9016LT1

Código: Y6

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT23

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S9016LT1 datasheet

 ..1. Size:28K  jiangsu
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S9016LT1

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS INDUSTIAL CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9016LT1 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 200 mW (Tamb=25 ) 2. 4 1. 3 Collector current ICM 0.025 A Collector-base voltage V(BR)CBO 30 V Operating and storage junction temperature range Unit mm TJ, Tstg

 9.1. Size:162K  galaxy
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S9016LT1

BL Galaxy Electrical Production specification NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor S9016 FEATURES Pb Collector Current.(IC= 25mA Lead-free Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS AM converter, FM/RM amplifier of low noise. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code S9016 Y6 SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbo

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