S9016LT1 Todos los transistores

 

S9016LT1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S9016LT1
   Código: Y6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT23

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S9016LT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:28K  jiangsu
 s9016lt1.pdf

S9016LT1 S9016LT1

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS INDUSTIAL CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9016LT1 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER 3. COLLECTOR Power dissipation PCM: 200 mW (Tamb=25) 2. 41. 3 Collector current ICM: 0.025 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range Unit: mm TJ, Tstg

 9.1. Size:162K  galaxy
 s9016.pdf

S9016LT1 S9016LT1

BL Galaxy Electrical Production specification NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor S9016 FEATURES Pb Collector Current.(IC= 25mA Lead-free Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS AM converter, FM/RM amplifier of low noise. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code S9016 Y6 SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbo

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