SBCW72LT1G Todos los transistores

 

SBCW72LT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SBCW72LT1G
   Código: K2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.23 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SBCW72LT1G Datasheet (PDF)

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SBCW72LT1G

BCW72LT1G, SBCW72LT1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquewww.onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantSOT-23(TO-236)CASE 318-08MAXIMUM RATINGSSTYLE 6Rating Symbol Value UnitC

 ..2. Size:164K  onsemi
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SBCW72LT1G

BCW72LT1G, SBCW72LT1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capablehttp://onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*SOT-23(TO-236)CASE 318-08MAXIMUM RATINGSSTYLE 6Rating Symbol Value

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History: 2SD2110 | 2SC11 | BC53PA

 

 
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