SBCW72LT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SBCW72LT1G

Código: K2

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.23 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT23

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SBCW72LT1G datasheet

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SBCW72LT1G

BCW72LT1G, SBCW72LT1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique www.onsemi.com Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 MAXIMUM RATINGS STYLE 6 Rating Symbol Value Unit C

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SBCW72LT1G

BCW72LT1G, SBCW72LT1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable http //onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 MAXIMUM RATINGS STYLE 6 Rating Symbol Value

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