Биполярный транзистор SBCW72LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBCW72LT1G
Маркировка: K2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для SBCW72LT1G
SBCW72LT1G Datasheet (PDF)
bcw72lt1g sbcw72lt1g.pdf
BCW72LT1G, SBCW72LT1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniquewww.onsemi.comSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantSOT-23(TO-236)CASE 318-08MAXIMUM RATINGSSTYLE 6Rating Symbol Value UnitC
sbcw72lt1g.pdf
BCW72LT1G, SBCW72LT1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capablehttp://onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*SOT-23(TO-236)CASE 318-08MAXIMUM RATINGSSTYLE 6Rating Symbol Value
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050