SHN1B01FDW1T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SHN1B01FDW1T1G
Código: R9
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.38 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT26 SOT457
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar SHN1B01FDW1T1G
SHN1B01FDW1T1G Datasheet (PDF)
hn1b01fdw1t1g shn1b01fdw1t1g.pdf
HN1B01FDW1T1G,SHN1B01FDW1T1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier Transistorwww.onsemi.comPNP and NPN Surface MountFeaturesSC-74 High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mACASE 318F High hFE: hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating(6) (5) (4) Human Body Model: 3A Machine Model: C S Prefix for Automoti
shn1b01fdw1t1g.pdf
HN1B01FDW1T1G,SHN1B01FDW1T1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier Transistorhttp://onsemi.comPNP and NPN Surface MountFeaturesSC-74 High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mACASE 318F High hFE: hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating(6) (5) (4) Human Body Model: 3A Machine Model: CQ1 Q2 AEC-Q101 Qu
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KRA525T
History: KRA525T
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D