SHN1B01FDW1T1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

SHN1B01FDW1T1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SHN1B01FDW1T1G
   Маркировка: R9
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT26 SOT457
 

 Аналоги (замена) для SHN1B01FDW1T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SHN1B01FDW1T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  onsemi
 hn1b01fdw1t1g shn1b01fdw1t1g.pdf pdf_icon

SHN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G,SHN1B01FDW1T1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier Transistorwww.onsemi.comPNP and NPN Surface MountFeaturesSC-74 High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mACASE 318F High hFE: hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating(6) (5) (4) Human Body Model: 3A Machine Model: C S Prefix for Automoti

 ..2. Size:103K  onsemi
 shn1b01fdw1t1g.pdf pdf_icon

SHN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G,SHN1B01FDW1T1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier Transistorhttp://onsemi.comPNP and NPN Surface MountFeaturesSC-74 High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mACASE 318F High hFE: hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating(6) (5) (4) Human Body Model: 3A Machine Model: CQ1 Q2 AEC-Q101 Qu

Другие транзисторы... SDT96304 , SDT96305 , SDTA114YET1G , SDTC114EET1G , SDTC114YET1G , SDTC124EET1 , SDTC124EET1G , SDTC144EET1G , C945 , SJ5438 , SJT1941PPN , SJT5198NPN , SBP13009K , SBP13009O , SBP13009S , SBP5027R , SBP5305DO .

 

 
Back to Top

 


 
.