SHN1B01FDW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SHN1B01FDW1T1G

Маркировка: R9

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT26 SOT457

 Аналоги (замена) для SHN1B01FDW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SHN1B01FDW1T1G даташит

 ..1. Size:151K  onsemi
 hn1b01fdw1t1g shn1b01fdw1t1g.pdf pdf_icon

SHN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G, SHN1B01FDW1T1G Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor www.onsemi.com PNP and NPN Surface Mount Features SC-74 High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA CASE 318F High hFE hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating (6) (5) (4) Human Body Model 3A Machine Model C S Prefix for Automoti

 ..2. Size:103K  onsemi
 shn1b01fdw1t1g.pdf pdf_icon

SHN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G, SHN1B01FDW1T1G Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor http //onsemi.com PNP and NPN Surface Mount Features SC-74 High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA CASE 318F High hFE hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating (6) (5) (4) Human Body Model 3A Machine Model C Q1 Q2 AEC-Q101 Qu

Другие транзисторы: SDT96304, SDT96305, SDTA114YET1G, SDTC114EET1G, SDTC114YET1G, SDTC124EET1, SDTC124EET1G, SDTC144EET1G, TIP41C, SJ5438, SJT1941PPN, SJT5198NPN, SBP13009K, SBP13009O, SBP13009S, SBP5027R, SBP5305DO