2N741A Todos los transistores

 

2N741A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N741A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2N741A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:52K  intersil
 jansr2n7411.pdf pdf_icon

2N741A

JANSR2N7411Formerly FSL9110R4 2.5A, -100V, 1.30 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETFeatures Description 2.5A, -100V, rDS(ON) = 1.30 The Discrete Products Operation of Intersil Corporationhasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si

 9.2. Size:52K  intersil
 jansr2n7410.pdf pdf_icon

2N741A

JANSR2N7410Formerly FSL110R4 3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard,March 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 3.5A, 100V, rDS(ON) = 0.600 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

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History: NSS60100DMT | LMUN5213T1G | KSD1616A | 2SC3069 | 2SD1804S | NST489 | 2SA1204

 

 
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