MPSW45AZL1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPSW45AZL1G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25000
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MPSW45AZL1G

MPSW45AZL1G Datasheet (PDF)

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MPSW45, MPSW45AOne Watt DarlingtonTransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR 3BASE2MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitEMITTER 1Collector-Emitter Voltage MPSW45 VCES 40 VdcMPSW45A 50Collector-Base Voltage MPSW45 VCBO 50 VdcMPSW45A 60Emitter-Base Voltage VEBO 12 VdcCollector Current - Continuous IC 1.0 AdcT

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW45/DOne Watt Darlington TransistorsNPN Silicon MPSW45COLLECTOR 3MPSW45A*BASE*Motorola Preferred Device2EMITTER 1MAXIMUM RATINGSRating Symbol MPSW45 MPSW45A UnitCollectorEmitter Voltage VCES 40 50 Vdc 123CollectorBase Voltage VCBO 50 60 VdcEmitterBase Voltage VEBO 12 12 VdcCASE 2905, S

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