MPSW45AZL1G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MPSW45AZL1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MPSW45AZL1G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25000
   Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для MPSW45AZL1G

MPSW45AZL1G Datasheet (PDF)

..1. Size:118K onsemi
mpsw45azl1g.pdf

MPSW45, MPSW45AOne Watt DarlingtonTransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR 3BASE2MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitEMITTER 1Collector-Emitter Voltage MPSW45 VCES 40 VdcMPSW45A 50Collector-Base Voltage MPSW45 VCBO 50 VdcMPSW45A 60Emitter-Base Voltage VEBO 12 VdcCollector Current - Continuous IC 1.0 AdcT

7.1. Size:118K onsemi
mpsw45arlrag.pdf

7.2. Size:117K onsemi
mpsw45ag.pdf

8.1. Size:228K motorola
mpsw45re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSW45/DOne Watt Darlington TransistorsNPN Silicon MPSW45COLLECTOR 3MPSW45A*BASE*Motorola Preferred Device2EMITTER 1MAXIMUM RATINGSRating Symbol MPSW45 MPSW45A UnitCollectorEmitter Voltage VCES 40 50 Vdc 123CollectorBase Voltage VCBO 50 60 VdcEmitterBase Voltage VEBO 12 12 VdcCASE 2905, S

8.2. Size:118K onsemi
mpsw45-a.pdf