MRF492A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MRF492A 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 275 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: SOT122
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MRF492A datasheet
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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF492/D The RF Line NPN Silicon MRF492 RF Power Transistor Designed for 12.5 volt low band VHF large signal power amplifier applica- tions in commercial and industrial FM equipment. Specified 12.5 V, 50 MHz Characteristics Output Power = 70 W 70 W, 50 MHz Minimum Gain = 11 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSI
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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF492/D The RF Line NPN Silicon MRF492 RF Power Transistor Designed for 12.5 volt low band VHF large signal power amplifier applica- tions in commercial and industrial FM equipment. Specified 12.5 V, 50 MHz Characteristics Output Power = 70 W 70 W, 50 MHz Minimum Gain = 11 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSI
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HG RF POWER TRANSISTOR MRF492 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Designed for 12.5 volt low band VHF large signal power amplifier applica- tions in commercial and industrial FM equipment. Specified 12.5 V, 50 MHz Characteristics Output Power = 70 W Minimum Gain = 11 dB Efficiency = 50% Load Mismatch Capability at High Line and RF Overdrive MAX
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