MRF581 Todos los transistores

 

MRF581 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF581
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO50
 

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MRF581 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF581/DThe RF LineMRF581NPN SiliconMRF581AHigh-Frequency TransistorsMRF5812, R1, R2Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation DistortionIC = 200 mA High GainLOW NOISE StateoftheArt TechnologyHIGHFREQUENCYFine L

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF5811LT1/DThe RF LineMRF5811LT1NPN SiliconHigh-Frequency TransistorDesigned for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz.IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISEHIGHFREQUENCY Low Intermodulation DistortionTRANSISTOR High GainNPN SILICON StateoftheArt Technology

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF581/DThe RF LineMRF581NPN SiliconMRF581AHigh-Frequency TransistorsMRF5812, R1, R2Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation DistortionIC = 200 mA High GainLOW NOISE StateoftheArt TechnologyHIGHFREQUENCYFine L

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History: RN1322A | SD1272 | 2SB237

 

 
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