MSA1162GT1G Todos los transistores

 

MSA1162GT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSA1162GT1G
   Código: 62G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT346
 

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MSA1162GT1G Datasheet (PDF)

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MSA1162GT1G

MSA1162GT1GGeneral Purpose AmplifierTransistorsPNP Surface MountFeatureshttp://onsemi.com Moisture Sensitivity Level: 1 This is a Pb-Free DeviceCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 60 VdcCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc1 2BASE EMITTEREmitter-Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcCollector Current -

 4.1. Size:41K  onsemi
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MSA1162GT1G

MSA1162GT1, MSA1162YT1General Purpose AmplifierTransistorsPNP Surface Mounthttp://onsemi.comFeatures Moisture Sensitivity Level: 1COLLECTOR ESD Rating: TBD 3 Pb-Free Packages are AvailableMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value Unit2 1Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 VdcBASE EMITTERCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter-Base Voltage V

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History: BST60 | 2SD1387 | 2SA930H | 2SC3970A | 2SD1389 | 2N4929 | EMX1FHA

 

 
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