Справочник транзисторов. MSA1162GT1G

 

Биполярный транзистор MSA1162GT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MSA1162GT1G
   Маркировка: 62G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT346
 

 Аналог (замена) для MSA1162GT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSA1162GT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  onsemi
 msa1162gt1g.pdf pdf_icon

MSA1162GT1G

MSA1162GT1GGeneral Purpose AmplifierTransistorsPNP Surface MountFeatureshttp://onsemi.com Moisture Sensitivity Level: 1 This is a Pb-Free DeviceCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 60 VdcCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc1 2BASE EMITTEREmitter-Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcCollector Current -

 4.1. Size:41K  onsemi
 msa1162gt1-d.pdf pdf_icon

MSA1162GT1G

MSA1162GT1, MSA1162YT1General Purpose AmplifierTransistorsPNP Surface Mounthttp://onsemi.comFeatures Moisture Sensitivity Level: 1COLLECTOR ESD Rating: TBD 3 Pb-Free Packages are AvailableMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value Unit2 1Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 VdcBASE EMITTERCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter-Base Voltage V

Другие транзисторы... MS1329 , MS1501 , MS1649 , MS2202 , MS2203 , MS2204 , MS8050-H , MS8050-L , A733 , MSB1218A-RT1 , MSB1218A-RT1G , MSB92ASWT1G , MSB92AWT1G , MSB92T1G , MSB92WT1G , MSC2712GT1G , MSD1819A-R .

History: 2SC3417D

 

 
Back to Top

 


 
.