MSA1162GT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSA1162GT1G  📄📄 

Маркировка: 62G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT346

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MSA1162GT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSA1162GT1G даташит

 ..1. Size:86K  onsemi
 msa1162gt1g.pdf pdf_icon

MSA1162GT1G

MSA1162GT1G General Purpose Amplifier Transistors PNP Surface Mount Features http //onsemi.com Moisture Sensitivity Level 1 This is a Pb-Free Device COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc 1 2 BASE EMITTER Emitter-Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc Collector Current -

 4.1. Size:41K  onsemi
 msa1162gt1-d.pdf pdf_icon

MSA1162GT1G

MSA1162GT1, MSA1162YT1 General Purpose Amplifier Transistors PNP Surface Mount http //onsemi.com Features Moisture Sensitivity Level 1 COLLECTOR ESD Rating TBD 3 Pb-Free Packages are Available MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit 2 1 Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc BASE EMITTER Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emitter-Base Voltage V

Другие транзисторы: MS1329, MS1501, MS1649, MS2202, MS2203, MS2204, MS8050-H, MS8050-L, 2SD1047, MSB1218A-RT1, MSB1218A-RT1G, MSB92ASWT1G, MSB92AWT1G, MSB92T1G, MSB92WT1G, MSC2712GT1G, MSD1819A-R