Справочник транзисторов. MSA1162GT1G

 

Биполярный транзистор MSA1162GT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MSA1162GT1G
   Маркировка: 62G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT346
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MSA1162GT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  onsemi
 msa1162gt1g.pdf pdf_icon

MSA1162GT1G

MSA1162GT1GGeneral Purpose AmplifierTransistorsPNP Surface MountFeatureshttp://onsemi.com Moisture Sensitivity Level: 1 This is a Pb-Free DeviceCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 60 VdcCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc1 2BASE EMITTEREmitter-Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcCollector Current -

 4.1. Size:41K  onsemi
 msa1162gt1-d.pdf pdf_icon

MSA1162GT1G

MSA1162GT1, MSA1162YT1General Purpose AmplifierTransistorsPNP Surface Mounthttp://onsemi.comFeatures Moisture Sensitivity Level: 1COLLECTOR ESD Rating: TBD 3 Pb-Free Packages are AvailableMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value Unit2 1Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 VdcBASE EMITTERCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter-Base Voltage V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | TSC114ENND03 | CC6225F | CC6168F | MJE13003DP

 

 
Back to Top

 


 
.