MT3S111 Todos los transistores

 

MT3S111 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT3S111
   Código: R5
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.16 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
   Tensión emisor-base (Veb): 0.6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 11500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT23 SOT346
 

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MT3S111 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  toshiba
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MT3S111

MT3S111 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111 VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFeatures Low-Noise Figure: NF=0.9 dB (typ.) (@ f=1 GHz) High Gain:|S21e|2=12 dB (typ.) (@ f=1 GHz) Marking 1. BaseR 5 2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236JEITA SC-59Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) T

 ..2. Size:159K  toshiba
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MT3S111

MT3S111 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111 VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFeatures Low-Noise Figure: NF=0.9 dB (typ.) (@ f=1 GHz) High Gain:|S21e|2=12 dB (typ.) (@ f=1 GHz) Marking 1. BaseR 5 2. Emitter3. CollectorS-Mini JEDEC TO-236JEITA SC-59Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) T

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MT3S111

MT3S111TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111TU VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application Unit: mm2.10.11.70.1Features Low-Noise Figure: NF=0.85 dB (typ.) (@ f=1 GHz) 1 High Gain: |S21e|2=12.5 dB (typ.) (@ f=1 GHz) 32 Marking 3 1. BASE R 5 2. EMITTER 3. COLLECTOR 1 2 UFM JEDEC -JEITA -Ab

 0.2. Size:161K  toshiba
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MT3S111

MT3S111P TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111P VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit: mmFeatures Low-Noise Figure: NF=0.95 dB (typ.) (@f=1 GHz) High Gain: |S21e|2=10.5 dB (typ.) (@f=1 GHz) Marking R 5 PW-Mini JEDEC JEITA SC-62Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) TOSHIBA 2-5K1AWeight:0.05 g (typ.

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: FV3502

 

 
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