MT3S111 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MT3S111  📄📄 

Маркировка: R5

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 0.6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23 SOT346

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MT3S111

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MT3S111 даташит

 ..1. Size:161K  toshiba
 mt3s111 .pdf pdf_icon

MT3S111

MT3S111 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111 VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm Features Low-Noise Figure NF=0.9 dB (typ.) (@ f=1 GHz) High Gain S21e 2=12 dB (typ.) (@ f=1 GHz) Marking 1. Base R 5 2. Emitter 3. Collector S-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) T

 ..2. Size:159K  toshiba
 mt3s111.pdf pdf_icon

MT3S111

MT3S111 TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111 VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm Features Low-Noise Figure NF=0.9 dB (typ.) (@ f=1 GHz) High Gain S21e 2=12 dB (typ.) (@ f=1 GHz) Marking 1. Base R 5 2. Emitter 3. Collector S-Mini JEDEC TO-236 JEITA SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) T

 0.1. Size:156K  toshiba
 mt3s111tu .pdf pdf_icon

MT3S111

MT3S111TU TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111TU VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application Unit mm 2.1 0.1 1.7 0.1 Features Low-Noise Figure NF=0.85 dB (typ.) (@ f=1 GHz) 1 High Gain S21e 2=12.5 dB (typ.) (@ f=1 GHz) 3 2 Marking 3 1. BASE R 5 2. EMITTER 3. COLLECTOR 1 2 UFM JEDEC - JEITA - Ab

 0.2. Size:161K  toshiba
 mt3s111p.pdf pdf_icon

MT3S111

MT3S111P TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planar Type MT3S111P VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications Unit mm Features Low-Noise Figure NF=0.95 dB (typ.) (@f=1 GHz) High Gain S21e 2=10.5 dB (typ.) (@f=1 GHz) Marking R 5 PW-Mini JEDEC JEITA SC-62 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) TOSHIBA 2-5K1A Weight 0.05 g (typ.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MSG36E41, MSG43001, MSG43002, MSG43003, MSG43004, MSG430C4, MSG430D4, MT3S106FS, A1013, MT3S111P, MT3S111TU, MT3S113, MT3S113P, MT3S113TU, MT4S102T, MT4S102U, MT4S300U