MT4S102U . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT4S102U
Código: P8
Material: SiGe
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.06 W
Tensión colector-base (Vcb): 6 V
Tensión colector-emisor (Vce): 3 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 24000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT343
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MT4S102U
MT4S102U Datasheet (PDF)
mt4s102u.pdf
MT4S102U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102U UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit: mm2.10.1 1.250.1 FEATURES Low Noise Figure :NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain:|S21e|2=15.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. COLLECTOR1 22. EMITTER3. BASE 4. EMITTER Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) USQCharacteristics S
mt4s102t.pdf
MT4S102T TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S102T UHF-SHF Low Noise Amplifier Application Unit:mm1.20.05 FEATURES 0.90.05 Low Noise Figure :NF=0.58dB (@f=2GHz) High Gain:|S21e|2=16.0dB (@f=2GHz) Marking 4 3 P 8 1. Collector 1 2 2. Emitter 3. Base 4. Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) TESQ JEDEC -Cha
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050