MT4S301U . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MT4S301U
   Código: P4
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 6 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 23000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT343

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MT4S301U

MT4S301U Datasheet (PDF)

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MT4S301U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S301U Unit:mm UHF-SHF Low Noise Amplifier Application FEATURES Low Noise Figure :NF=0.57dB(Typ.) (@f=2GHz) High Gain :|S21e|2=18.1dB(Typ.) (@f=2GHz) 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits Marking 4 3 1. Collector P 4 2. Emitter 3. Base 4. Emitter 1

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MT4S300U TOSHIBA Transistor Silicon-Germanium NPN Epitaxial Planer Type MT4S300U Unit:mm UHF-SHF Low Noise Amplifier Application FEATURES Low Noise Figure :NF=0.55dB(Typ.) (@f=2GHz) High Gain :|S21e|2=16.9dB(Typ.) (@f=2GHz) 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits Marking 4 3 1. Collector P 2. Emitter 3. Base 4. Emitter

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N5311 | 2S148 | BFP521I

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050