MP4514 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP4514  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 4000

Encapsulados: 2-32B1B

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MP4514 datasheet

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MP4514

MP4514 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor 4 in 1) MP4514 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit mm Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Package with heat sink isolated to lead (SIP 12 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) P = 5 W (Ta = 25 C

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MP4514

MP4513 TOSHIBA Power Transistor Module Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor 4 in 1) MP4513 Industrial Applications High Power Switching Applications. Unit mm Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching. Package with heat sink isolated to lead (SIP 12 pin) High collector power dissipation (4 devices operation) P = 5 W (Ta =

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