MPQ3467 Todos los transistores

 

MPQ3467 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPQ3467
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO116
 

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MPQ3467 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  central
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MPQ3467

Quad TransistorsTO-116 Case (14 Pin DIP)TC (@ 25oC)=3.0 Watts Total ( 4 Die Equal Power) TYPE NO. DESCRIPTION BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB hFE @ IC VCE (SAT ) @ IC Cob fT NF tOFF COMMENTS PIN Typ CONFIG.**(V) (V) (V) (nA) (V) (mA) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) (ns) MIN MIN MIN MAX MIN MAX MAX MIN MAX MPQ2222 NPN AMPL/SWITCH 60 40 5.0 50 50 30 300 0.40 150 8.0 200 - - - - 4X 2N2222

 0.1. Size:111K  motorola
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MPQ3467

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMPQ3467/DQuad Memory DriverMMPQ3467Transistor1 16PNP SiliconMotorola Preferred Device2 153 144 135 126 117 108 916MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value UnitCASE 751B05, STYLE 4CollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcSO16CollectorBase Voltage VCB 40 VdcEmitterBase Voltage V

 0.2. Size:143K  onsemi
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MPQ3467

MMPQ3467Quad Memory DriverTransistorPNP SiliconMAXIMUM RATINGShttp://onsemi.comRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VdcCollector-Base Voltage VCB -40 VdcEmitter-Base Voltage VEB -5.0 Vdc 16Collector Current IC -1.0 Adc1ContinuousFourCASE 751B-05, STYLE 4Each Transistors SO-16Transistor Equal PowerPower Dissipation PD W1 16@ TA =

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History: L9015RLT3G | STC5608

 

 
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