MPQ3467 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPQ3467  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 125 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO116

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MPQ3467 datasheet

 ..1. Size:493K  central
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MPQ3467

Quad Transistors TO-116 Case (14 Pin DIP) TC (@ 25oC)=3.0 Watts Total ( 4 Die Equal Power) TYPE NO. DESCRIPTION BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB hFE @ IC VCE (SAT ) @ IC Cob fT NF tOFF COMMENTS PIN Typ CONFIG.** (V) (V) (V) (nA) (V) (mA) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) (ns) MIN MIN MIN MAX MIN MAX MAX MIN MAX MPQ2222 NPN AMPL/SWITCH 60 40 5.0 50 50 30 300 0.40 150 8.0 200 - - - - 4X 2N2222

 0.1. Size:111K  motorola
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MPQ3467

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMPQ3467/D Quad Memory Driver MMPQ3467 Transistor 1 16 PNP Silicon Motorola Preferred Device 2 15 3 14 4 13 5 12 6 11 7 10 8 9 16 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit CASE 751B 05, STYLE 4 Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc SO 16 Collector Base Voltage VCB 40 Vdc Emitter Base Voltage V

 0.2. Size:143K  onsemi
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MPQ3467

MMPQ3467 Quad Memory Driver Transistor PNP Silicon MAXIMUM RATINGS http //onsemi.com Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc Collector-Base Voltage VCB -40 Vdc Emitter-Base Voltage VEB -5.0 Vdc 16 Collector Current IC -1.0 Adc 1 Continuous Four CASE 751B-05, STYLE 4 Each Transistors SO-16 Transistor Equal Power Power Dissipation PD W 1 16 @ TA =

Otros transistores... MP4T6325, MP4T6365, MP4T645, MP4T801, MP4T802, MP4T856, MP6301, MP6901, TIP41, MPQ3725, MPQ3725A, MPQ3762, MPQ3798, MPQ3799, MPQ6002, MPQ6100A, MPQ6502