MPQ3467 Todos los transistores

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MPQ3467 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPQ3467

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.65 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 125 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 20

Empaquetado / Estuche: TO116

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MPQ3467

MPQ3467 Datasheet (PDF)

1.1. mpq3467.pdf Size:493K _update

MPQ3467

Quad Transistors TO-116 Case (14 Pin DIP) TC (@ 25oC)=3.0 Watts Total ( 4 Die Equal Power) TYPE NO. DESCRIPTION BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB hFE @ IC VCE (SAT ) @ IC Cob fT NF tOFF COMMENTS PIN Typ † CONFIG.** (V) (V) (V) (nA) (V) (mA) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) (ns) MIN MIN MIN MAX MIN MAX MAX MIN MAX MPQ2222 NPN AMPL/SWITCH 60 40 5.0 50 50 30 300 0.40 150 8.0 200 - - - - 4X 2N2222

1.2. mmpq3467.pdf Size:111K _motorola

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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMPQ3467/D Quad Memory Driver MMPQ3467 Transistor 1 16 PNP Silicon Motorola Preferred Device 2 15 3 14 4 13 5 12 6 11 7 10 8 9 16 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit CASE 751B05, STYLE 4 CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc SO16 CollectorBase Voltage VCB 40 Vdc EmitterBase Voltage VEB 5.0 Vdc Coll

1.3. mmpq3467.pdf Size:143K _onsemi

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MMPQ3467 Quad Memory Driver Transistor PNP Silicon MAXIMUM RATINGS http://onsemi.com Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc Collector-Base Voltage VCB -40 Vdc Emitter-Base Voltage VEB -5.0 Vdc 16 Collector Current IC -1.0 Adc 1 Continuous Four CASE 751B-05, STYLE 4 Each Transistors SO-16 Transistor Equal Power Power Dissipation PD W 1 16 @ TA = 25C

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