BDS13SMD05 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BDS13SMD05
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 43.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO276AA

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDS13SMD05

BDS13SMD05 Datasheet (PDF)

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BDS13 BDS13SMD BDS13SMD05BDS14 BDS14SMD BDS14SMD05BDS15 BDS15SMD BDS15SMD05SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL ANDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACEDimensions in mm(inches)MOUNT PACKAGES4.610.60.8FEATURES3.6 HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGESDia. HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1 2 3 SCREENING TO CECC LEVELS FULLY ISOLATED (ME

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