BDS13SMD05 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDS13SMD05  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO276AA

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDS13SMD05

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDS13SMD05 даташит

 ..1. Size:38K  semelab
 bds13smd05.pdf pdf_icon

BDS13SMD05

BDS13 BDS13SMD BDS13SMD05 BDS14 BDS14SMD BDS14SMD05 BDS15 BDS15SMD BDS15SMD05 SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND MECHANICAL DATA CERAMIC SURFACE Dimensions in mm(inches) MOUNT PACKAGES 4.6 10.6 0.8 FEATURES 3.6 HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES Dia. HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS 1 2 3 SCREENING TO CECC LEVELS FULLY ISOLATED (ME

 6.1. Size:38K  semelab
 bds13smd.pdf pdf_icon

BDS13SMD05

BDS13 BDS13SMD BDS13SMD05 BDS14 BDS14SMD BDS14SMD05 BDS15 BDS15SMD BDS15SMD05 SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND MECHANICAL DATA CERAMIC SURFACE Dimensions in mm(inches) MOUNT PACKAGES 4.6 10.6 0.8 FEATURES 3.6 HERMETIC METAL OR CERAMIC PACKAGES Dia. HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS 1 2 3 SCREENING TO CECC LEVELS FULLY ISOLATED (ME

Другие транзисторы: BDS11SMD05, BDS12IG, BDS12M2A, BDS12N1A, BDS12N1B, BDS12SMD, BDS12SMD05, BDS13SMD, 431, BDS14SMD, BDS14SMD05, BDS15SMD, BDS15SMD05, BDS16SMD, BDS16SMD05, BDS16X, BDS16XSMD