BSV62SMD05 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSV62SMD05 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 6.2 W
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO276AA
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BSV62SMD05 datasheet
bsv62smd05.pdf
BSV62SMD05 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 40V IC = 5A 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) All Semelab herme
bsv62smd.pdf
BSV62SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 40V IC = 5A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0.
Otros transistores... BR3DD5555R, BR3DD6802Q, BR3DG1684, BR3DG227K, BR3DG536K, BRF90G, BSV52LT1G, BSV62SMD, 2N3906, BSV64SMD, BSX20DCSM, BSX33CSM, BSX33DCSM, BSX36DCSM, BSX62SMD, BSX62SMD05, BSX63SMD
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
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BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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