BSS62A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSS62A  📄📄 

Material: SI

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 90 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 800

Encapsulados: TO39

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BSS62A datasheet

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BSS62A

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

 9.1. Size:52K  philips
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BSS62A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSS61; BSS62 PNP Darlington transistors 1997 May 14 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP Darlington transistors BSS61; BSS62 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emitter I

Otros transistores... BSP20A, BSP52T1G, BSP52T3G, BSS50A, BSS51A, BSS52A, BSS60A, BSS61A, 2SA1837, BSS63LT1G, BSS63R, BSS64LT1G, BSS71CSM, BSS71DCSM, BSS73CSM, BSS73DCSM, BSS74CSM