2SC5231A-8-TL-E Todos los transistores

 

2SC5231A-8-TL-E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC5231A-8-TL-E
   Código: C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT416
 

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2SC5231A-8-TL-E Datasheet (PDF)

 4.1. Size:407K  onsemi
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2SC5231A-8-TL-E

Ordering number : ENA1077A2SC5231ARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single SMCPFeatures Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz) High gain 2 : S21e =12dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=7GHz typ Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slimSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParamete

 6.1. Size:279K  sanyo
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2SC5231A-8-TL-E

Ordering number : ENA1077 2SC5231ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorVHF to UHF Wide-Band Low-Noise2SC5231AAmplifier ApplicationsFeatures Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). High gain : S21e2=12dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency : fT=7GHz typ. Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim.

 7.1. Size:132K  sanyo
 2sc5231.pdf pdf_icon

2SC5231A-8-TL-E

Ordering number:EN5036BNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5231VHF to UHF Wide-Band Low-NoiseAmplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz).unit:mm2 High gain : S21e =12dB typ (f=1GHz).2106A High cutoff frequency : fT=7GHz typ.[2SC5231] Very small-sized package permiting 2SC5231-0.750.30.6applied set

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