2SC5347AE-TD-E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5347AE-TD-E
Código: CZ
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: SOT89
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2SC5347AE-TD-E datasheet
2sc5347ae 2sc5347af.pdf
Ordering number ENA1087A 2SC5347A RF Transistor http //onsemi.com 12V, 150mA, fT=4.7GHz, NPN Single PCP Features High-frequency medium output amplification (VCE=5V, IC=50mA) fT=4.7GHz typ (f=1GHz) S21e =8dB typ (f=1GHz) 2 NF=1.8dB typ (f=1GHz) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltag
2sc5347a.pdf
Ordering number ENA1087 2SC5347A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Semi-Power Output Stage, 2SC5347A Low-Noise Medium Output Amplifier Applications Features High-frequency medium output amplification (VCE=5V, IC=50mA) fT=4.7GHz typ (f=1GHz). S21e 2=8dB typ (f=1GHz). NF=1.8dB typ (f=1GHz). Specifications Absolute
2sc5347.pdf
Ordering number EN5512A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5347 High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifiers Applications Features Package Dimensions High frequency medium output amplification unit mm (VCE=5V, IC=50mA) 2038A fT=4.7GHz typ (f=1GHz). [2SC5347] 2 S21e =8dB typ (f=1GHz). 4.5 NF=1.8dB typ (f=1GHz). 1.5 1.6 0.4 0
Otros transistores... 2SC5231A-8-TL-E , 2SC5245A-4-TL-E , 2SC5277A-2-TL-E , 2SC5305 , 2SC5343-G , 2SC5343-L , 2SC5343-O , 2SC5343-Y , BC557 , 2SC5347AF-TD-E , 2SC536K , 2SC536S , 2SC5374A-TL-E , 2SC5397 , 2SC5415AE-TD-E , 2SC5415AF-TD-E , 2SC5488A-TL-H .
History: 2SC2097 | MP4143
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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