2SC5536A-TL-H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5536A-TL-H
Código: MA
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.1 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SC81
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2SC5536A-TL-H datasheet
2sc5536a.pdf
Ordering number ENA1092 2SC5536A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF Low-Noise Amplifier, 2SC5536A OSC Applications Features Low-noise NF=1.8dB typ (f=150MHz). High gain S21e 2=16dB typ (f=150MHz). Ultrasmall, slim flat-lead package (1.4mm 0.8mm 0.6mm). Halogen free compliance. Specifications Absolute Maximum Ra
2sc5536a.pdf
Ordering number ENA1092A 2SC5536A RF Transistor http //onsemi.com 12V, 50mA, fT=1.7GHz, NPN Single SSFP Features Low-noise NF=1.8dB typ (f=150MHz) High gain S21e =16dB typ (f=150MHz) 2 Ultrasmall, slim flat-lead package (1.4mm 0.8mm 0.6mm) Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings
2sc5536.pdf
Ordering number ENN6290 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5536 VHF Low-Noise Amplifier , OSC Applications Features Package Dimensions Low noise NF=1.8dB typ (f=150MHz). unit mm 2 High gain S21e =16dB typ (f=150MHz). 2159 Ultrasmall, slim flat-lead package. [2SC5536] (1.4mm 0.8mm 0.6mm) 1.4 0.1 0.25 3 1 2 0.45 0.2 1 Base 2 Emitter 3
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