3CD205 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CD205
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO257
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CD205
3CD205 Datasheet (PDF)
3cd205.pdf
3CD205 PNP PCM TC=25 5 W ICM 2 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 45 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.0 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEBO VEB=4V 1.0 mA VBEsat 1.2 IC=0.5A V IB=0.1A VCEsat 0.8
3cd2051.pdf
3CD2051 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Low frequency power amplifier applications. , Features: Low V ,High V . CE(sat) CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -180 V CBO V -160 V CEO V -6.0 V EBO I -1.5
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 3DD13002B1 | DTC123EM
History: 3DD13002B1 | DTC123EM
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050