3CD205 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD205

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO257

 Búsqueda de reemplazo de 3CD205

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3CD205 datasheet

 ..1. Size:144K  china
 3cd205.pdf pdf_icon

3CD205

3CD205 PNP PCM TC=25 5 W ICM 2 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 45 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.0 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEBO VEB=4V 1.0 mA VBEsat 1.2 IC=0.5A V IB=0.1A VCEsat 0.8

 0.1. Size:211K  blue-rocket-elect
 3cd2051.pdf pdf_icon

3CD205

3CD2051 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier applications. , Features Low V ,High V . CE(sat) CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -180 V CBO V -160 V CEO V -6.0 V EBO I -1.5

Otros transistores... 3CD100, 3CD1010, 3CD102, 3CD103, 3CD1094, 3CD1290, 3CD1375, 3CD150, BD135, 3CD3, 3CD32, 3CD32A, 3CD32B, 3CD32C, 3CD4, 3CD42, 3CD438