3CD205. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD205

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO257

 Аналоги (замена) для 3CD205

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD205 даташит

 ..1. Size:144K  china
 3cd205.pdf pdf_icon

3CD205

3CD205 PNP PCM TC=25 5 W ICM 2 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 45 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.0 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEBO VEB=4V 1.0 mA VBEsat 1.2 IC=0.5A V IB=0.1A VCEsat 0.8

 0.1. Size:211K  blue-rocket-elect
 3cd2051.pdf pdf_icon

3CD205

3CD2051 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier applications. , Features Low V ,High V . CE(sat) CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -180 V CBO V -160 V CEO V -6.0 V EBO I -1.5

Другие транзисторы: 3CD100, 3CD1010, 3CD102, 3CD103, 3CD1094, 3CD1290, 3CD1375, 3CD150, BD135, 3CD3, 3CD32, 3CD32A, 3CD32B, 3CD32C, 3CD4, 3CD42, 3CD438