3CD6 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD6

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO257

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3CD6 datasheet

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3CD6

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3CD6

2N6125(3CD6125) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. 2N6122 3DD6122 Features Complement to 2N6122(3DD6122). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -5.0 V EB

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3CD6

2N6124(3CD6124) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. 2N6121 3DD6121 Features Complement to 2N6121(3DD6121). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -5.0 V EB

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