3CD6109 Todos los transistores

 

3CD6109 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CD6109
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO257
 

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3CD6109 Datasheet (PDF)

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3CD6109

3CD6 PNP B C D E F G H PCM TC=75 50 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=5mA 50 80 110 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 80 110 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=7mA 4.0 V ICBO VCB=20V

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3CD6109

2N6125(3CD6125) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Medium power linear switching applications. 2N61223DD6122 Features: Complement to 2N6122(3DD6122). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -5.0 V EB

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3CD6109

2N6124(3CD6124) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Medium power linear switching applications. 2N61213DD6121 Features: Complement to 2N6121(3DD6121). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -5.0 V EB

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3CD6109

2N6126(3CD6126) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Medium power linear switching applications. 2N61233DD6123 Features: Complement to 2N6123(3DD6123). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -80 V CBO V -80 V CEO V -5.0 V EB

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History: 2SD1835R | 2SC1453 | PMD10K80 | MRF20060 | CSC2690Y | 2SC628

 

 
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