Биполярный транзистор 3CD6109 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CD6109
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO257
3CD6109 Datasheet (PDF)
3cd6109.pdf
3CD6 PNP B C D E F G H PCM TC=75 50 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=5mA 50 80 110 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 80 110 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=7mA 4.0 V ICBO VCB=20V
3cd6125.pdf
2N6125(3CD6125) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Medium power linear switching applications. 2N61223DD6122 Features: Complement to 2N6122(3DD6122). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -5.0 V EB
3cd6124.pdf
2N6124(3CD6124) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Medium power linear switching applications. 2N61213DD6121 Features: Complement to 2N6121(3DD6121). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -5.0 V EB
3cd6126.pdf
2N6126(3CD6126) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Medium power linear switching applications. 2N61233DD6123 Features: Complement to 2N6123(3DD6123). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -80 V CBO V -80 V CEO V -5.0 V EB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050