3CD6109. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD6109

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO257

 Аналоги (замена) для 3CD6109

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD6109 даташит

 ..1. Size:142K  china
 3cd6109.pdf pdf_icon

3CD6109

 9.1. Size:347K  lzg
 3cd6125.pdf pdf_icon

3CD6109

2N6125(3CD6125) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. 2N6122 3DD6122 Features Complement to 2N6122(3DD6122). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -5.0 V EB

 9.2. Size:342K  lzg
 3cd6124.pdf pdf_icon

3CD6109

2N6124(3CD6124) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. 2N6121 3DD6121 Features Complement to 2N6121(3DD6121). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -5.0 V EB

 9.3. Size:344K  lzg
 3cd6126.pdf pdf_icon

3CD6109

2N6126(3CD6126) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. 2N6123 3DD6123 Features Complement to 2N6123(3DD6123). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -80 V CBO V -80 V CEO V -5.0 V EB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CD32B, 3CD32C, 3CD4, 3CD42, 3CD438, 3CD4399, 3CD5, 3CD6, C3198, 3CD6124, 3CD6125, 3CD6126, 3CD8, 3CD834, 3CD837, 3CD9, 3CD940