3CD8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3CD8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO257

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CD8

3CD8 Datasheet (PDF)

..1. Size:143K china
3cd8.pdf

3CD8 PNP B C D E F G H PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=10mA 50 80 110 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=10mA 50 80 110 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=15mA 4.0 V ICBO VCB=20

0.1. Size:135K china
3cd837.pdf

3CD837 PNP PCM TC=25 30 W ICM 8.0 A Tjm 125 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=40V 0.5 mA ICEO VCE=18V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2A V VCEsat IB=0

0.2. Size:151K china
3cd834.pdf

3CD834 PNP PCM TC=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 60 V V(BR)CEO ICE=1mA 60 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA IEBO VEB=5V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC=

0.3. Size:220K inchange semiconductor
3cd834.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD834DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max) @I = -3.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio frequency power amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N5967 | 2N5956 | 2N4113

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050