3CD8 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD8

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO257

 Búsqueda de reemplazo de 3CD8

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3CD8 datasheet

 ..1. Size:143K  china
 3cd8.pdf pdf_icon

3CD8

3CD8 PNP B C D E F G H PCM TC=75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=10mA 50 80 110 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=10mA 50 80 110 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=15mA 4.0 V ICBO VCB=20

 0.1. Size:135K  china
 3cd837.pdf pdf_icon

3CD8

3CD837 PNP PCM TC=25 30 W ICM 8.0 A Tjm 125 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=40V 0.5 mA ICEO VCE=18V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2A V VCEsat IB=0

 0.2. Size:151K  china
 3cd834.pdf pdf_icon

3CD8

3CD834 PNP PCM TC=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 60 V V(BR)CEO ICE=1mA 60 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA IEBO VEB=5V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC=

 0.3. Size:220K  inchange semiconductor
 3cd834.pdf pdf_icon

3CD8

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD834 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -1.0V(Max) @I = -3.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 3CD438, 3CD4399, 3CD5, 3CD6, 3CD6109, 3CD6124, 3CD6125, 3CD6126, S9013, 3CD834, 3CD837, 3CD9, 3CD940, 3CF1, 3CF5, 3CG1, 3CG1013