3CD837 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CD837
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO257
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CD837
3CD837 Datasheet (PDF)
3cd837.pdf
3CD837 PNP PCM TC=25 30 W ICM 8.0 A Tjm 125 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=40V 0.5 mA ICEO VCE=18V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2A V VCEsat IB=0
3cd834.pdf
3CD834 PNP PCM TC=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 60 V V(BR)CEO ICE=1mA 60 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA IEBO VEB=5V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC=
3cd834.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 3CD834DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max) @I = -3.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio frequency power amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BSR60 | 9016 | FHT9014O
History: BSR60 | 9016 | FHT9014O
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050