3CD837 Todos los transistores

 

3CD837 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CD837
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO257
 

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3CD837 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  china
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3CD837

3CD837 PNP PCM TC=25 30 W ICM 8.0 A Tjm 125 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=40V 0.5 mA ICEO VCE=18V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2A V VCEsat IB=0

 9.1. Size:151K  china
 3cd834.pdf pdf_icon

3CD837

3CD834 PNP PCM TC=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 60 V V(BR)CEO ICE=1mA 60 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA IEBO VEB=5V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC=

 9.2. Size:220K  inchange semiconductor
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3CD837

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD834DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max) @I = -3.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio frequency power amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Otros transistores... 3CD5 , 3CD6 , 3CD6109 , 3CD6124 , 3CD6125 , 3CD6126 , 3CD8 , 3CD834 , 2SD669A , 3CD9 , 3CD940 , 3CF1 , 3CF5 , 3CG1 , 3CG1013 , 3CG1013T , 3CG1015 .

History: LBC548BP

 

 
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