3CD837 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD837

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO257

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3CD837 datasheet

 ..1. Size:135K  china
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3CD837

3CD837 PNP PCM TC=25 30 W ICM 8.0 A Tjm 125 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=40V 0.5 mA ICEO VCE=18V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2A V VCEsat IB=0

 9.1. Size:151K  china
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3CD837

3CD834 PNP PCM TC=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 5 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 60 V V(BR)CEO ICE=1mA 60 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA IEBO VEB=5V 0.5 mA VBEsat 1.2 IC=

 9.2. Size:220K  inchange semiconductor
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3CD837

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD834 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -1.0V(Max) @I = -3.0A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

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