3CG1030A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG1030A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 85

Encapsulados: TO92S

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3CG1030A datasheet

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3CG1030A

2SB1030(3CG1030) 2SB1030A(3CG1030A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A) Purpose Low frequency power amplifier, complementary to 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A). Features Optimum for high-density mounting. /Absolute Maximum Ratin

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3CG1030A

2SB1030(3CG1030) 2SB1030A(3CG1030A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A) Purpose Low frequency power amplifier, complementary to 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A). Features Optimum for high-density mounting. /Absolute Maximum Ratin

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3CG1030A

2SA1037AK(3CG1037AK) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose General amplifier applications. , 2SC2412K(3DG2412K) /Features Excellent h linearity, FE Complementary pair with 2SC2412K(3DG2412K). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V C

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3CG1030A

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