3CG1036K . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3CG1036K
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CG1036K

3CG1036K Datasheet (PDF)

..1. Size:873K lzg
3cg1036k.pdf

2SA1036K(3CG1036K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Medium power amplifier applications. : 2SC2411K3DG2411K Features: .Large Ic low Vce(sat),complementary pair with the 2SC2411K(3DG2411K). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

8.1. Size:247K lzg
3cg1030.pdf

2SB1030(3CG1030) 2SB1030A(3CG1030A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A) Purpose: Low frequency power amplifier, complementary to 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A). : Features: Optimum for high-density mounting. /Absolute Maximum Ratin

8.2. Size:288K lzg
3cg1037ak.pdf

2SA1037AK(3CG1037AK) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : /Purpose: General amplifier applications. :, 2SC2412K(3DG2412K)/Features: Excellent h linearity, FEComplementary pair with 2SC2412K(3DG2412K). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V C

8.3. Size:247K lzg
3cg1030a.pdf