Биполярный транзистор 3CG1036K - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG1036K
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: SOT23
3CG1036K Datasheet (PDF)
3cg1036k.pdf
2SA1036K(3CG1036K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Medium power amplifier applications. : 2SC2411K3DG2411K Features: .Large Ic low Vce(sat),complementary pair with the 2SC2411K(3DG2411K). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
3cg1030.pdf
2SB1030(3CG1030) 2SB1030A(3CG1030A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A) Purpose: Low frequency power amplifier, complementary to 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A). : Features: Optimum for high-density mounting. /Absolute Maximum Ratin
3cg1037ak.pdf
2SA1037AK(3CG1037AK) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : /Purpose: General amplifier applications. :, 2SC2412K(3DG2412K)/Features: Excellent h linearity, FEComplementary pair with 2SC2412K(3DG2412K). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V C
3cg1030a.pdf
2SB1030(3CG1030) 2SB1030A(3CG1030A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A) Purpose: Low frequency power amplifier, complementary to 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A). : Features: Optimum for high-density mounting. /Absolute Maximum Ratin
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2SA1015 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
