3CG12 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG12

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO18

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3CG12 datasheet

 ..1. Size:115K  china
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 0.1. Size:317K  lzg
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 0.2. Size:235K  lzg
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3CG12

2SA1283(3CG1283) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -6.0 V EBO I -1.0 A C P 0.9 W C T 150 j T -55 150 stg /Electrical charact

 0.3. Size:256K  lzg
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3CG12

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