3CG12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG12

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CG12

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG12 даташит

 ..1. Size:115K  china
 3cg12.pdf pdf_icon

3CG12

 0.1. Size:317K  lzg
 3cg1201.pdf pdf_icon

3CG12

 0.2. Size:235K  lzg
 3cg1283.pdf pdf_icon

3CG12

2SA1283(3CG1283) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -6.0 V EBO I -1.0 A C P 0.9 W C T 150 j T -55 150 stg /Electrical charact

 0.3. Size:256K  lzg
 3cg1213.pdf pdf_icon

3CG12

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG1160, 3CG1162, 3CG1175, 3CG1182, 3CG1188, 3CG1189, 3CG1197K, 3CG1198K, BD222, 3CG12, 3CG1201, 3CG1203, 3CG1213, 3CG1218A, 3CG1260, 3CG1283, 3CG1295