3CG1203 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG1203

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT89

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3CG1203 datasheet

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3CG1203

2SA1203(3CG1203) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency amplifier applications. 3W 2SC2883 3DG2883 Features Suitable for output stage of 3 watts amplifier, small flat package, complementary to 2SC2883(3DG2883). /Absolute maximum ratings(Ta=2

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3CG1203

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3CG1203

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG120,3CG130 PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power

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3CG1203

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