3CG1213 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG1213

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT89

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3CG1213 datasheet

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3CG1213

2SB1218A(3CG1218A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General amplification. , 2SD1819A(3DG1819A) Features High h complements the 2SD1819A(3DG1819A). FE , /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -7.0 V E

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