3CG1213. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG1213

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 3CG1213

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1213 даташит

 ..1. Size:256K  lzg
 3cg1213.pdf pdf_icon

3CG1213

 8.1. Size:196K  lzg
 3cg1218a.pdf pdf_icon

3CG1213

2SB1218A(3CG1218A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General amplification. , 2SD1819A(3DG1819A) Features High h complements the 2SD1819A(3DG1819A). FE , /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -7.0 V E

 9.1. Size:115K  china
 3cg12.pdf pdf_icon

3CG1213

 9.2. Size:317K  lzg
 3cg1201.pdf pdf_icon

3CG1213

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG1188, 3CG1189, 3CG1197K, 3CG1198K, 3CG12, 3CG12, 3CG1201, 3CG1203, BD139, 3CG1218A, 3CG1260, 3CG1283, 3CG1295, 3CG130, 3CG1300, 3CG131, 3CG1316